一个以PSi为衬底的理想MOS结构中A其栅氧化层厚度越小,阈值电压越大B其衬底掺杂浓度越高,阈值电压越大C其阈值电压必定是负的D其衬底费米势肯定是负的

  尔雅 智慧树 mooc


+
账户
更新
搜索
帮助
主页