下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）ANFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGSB在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压C当VGS>VTH时，NMOS器件导通D若VTH=，则NMOS器件关断