已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为V，则A该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构B该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构C该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构D该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构