芯片基础–模拟集成电路设计（山东联盟） 知到智慧树答案2024 z22775

第一章 单元测试

1、
 集成电路，又简写为IC，其英文全称为Integrated Circuit。

A:对
B:错
答案: 对

2、
跟数字集成电路设计一样，目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。

A:对
B:错
答案: 错

3、
模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果

A:对
B:错
答案: 对

4、
模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷

A:对
B:错
答案: 对

5、
CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。

A:错
B:对
答案: 对

6、
MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快（已可与双极器件相比较），现在几GHz～几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。

A:对
B:错
答案: 对

7、
相对于数字电路来说，模拟集成电路的设计更加基础，更加灵活。

A:错
B:对
答案: 对

8、
片上系统，又称SOC，其英文全称是：

A:

System Operations Center

B:

System on Chip

C:

System of computer

D:

Separation of concerns 

答案:

System on Chip

9、
 互补金属氧化物半导体，英文简称CMOS，其英文全称为：

A:

Complementary Metal Oxide System 

B:

Complementary Metal Oxide Semiconductor

C:

Cargo Machine Of  Semiconductor

D:

Complementary Machine Of Semiconductor

答案:

Complementary Metal Oxide Semiconductor

10、
模拟数字转换器, 英文简称ADC, 英文全称为：

A:

Analog-to-Digital Converter 

B:

Ambulance to Digital Converter 

C:

Analog-to- Destination Converter 

D:

Ambulance to Destination Converter 

答案:

Analog-to-Digital Converter 

第二章 单元测试

1、
MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。

A:错
B:对
答案: 错

2、
如果一个电路的最高电压是，最低电压是，那么NMOS器件的衬底应该接。

A:对
B:错
答案: 错

3、
一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。

A:对
B:错
答案: 对

4、
下列关于MOS版图说法不正确的是（）

A:

版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里

B:

栅极的接触孔应该开在沟道区外

C:

源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则

D:

版图中沟道长度L的最小值由工艺决定

答案:

版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里

5、
下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）

A:

若，则 NMOS器件关断

B:

在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压

C:

NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压

D:

当时，NMOS器件导通

答案:

若，则 NMOS器件关断

6、
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）

A:

当_，时，NMOS器件工作在饱和区

B:

当时，且时，NMOS器件工作在深线性区

C:

当，并且NMOS器件工作在线性区

D:

当时，NMOS器件工作在截止区

答案: 当捕获捕获捕获捕获时器件工作在饱和区;
当捕获捕获并且捕获捕获器件工作在线性区;
当捕获捕获时器件工作在截止区

7、
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）

A:

tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定

B:

L是器件的沟道长度，W是器件的宽度

C:

一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L

D:

一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox

答案: 是器件栅氧化层的厚度由工艺决定;
是器件的沟道长度是器件的宽度;
一般所说的工艺其中的是指器件的最小沟道长度

8、
下列关于体效应的说法，正确的是（）

A:

源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。

B:

改变衬底电势可能会产生体效应。

C:

不改变衬底电势也可能会产生体效应。

D:

体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。

答案: 源电压相对于衬底电势发生改变使得源衬电势差不为就会产生体效应;
改变衬底电势可能会产生体效应;
不改变衬底电势也可能会产生体效应;
体效应导致设计参数复杂模拟集成电路设计往往不希望其存在但也有利用体效应的电路

9、
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）

A:

当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失

B:

MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计

C:

亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数

D:

MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当时，仍有存在

答案: 当时漏极电流以有限速度下降导致功率损耗或模拟信息的丢失;
管亚阈值电流一般为几十几百常用于低功耗放大器带隙基准设计;
亚阈值区的跨导比饱和区强反型区跨导大有利于实现大的放大倍数;
管由增大到大于阈值电压经历截止弱反型强反型这是一个渐进的过程故当捕获捕获时仍有存在

10、
下列关于MOS模型的说法正确的有（）

A:

MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数

B:

MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立

C:

MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

D:

当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算

答案: 器件的低频小信号模型主要考虑了跨导体效应以及沟道调制效应等参数;
器件的大信号模型一般由特性关系式各寄生电容计算式等推导建立;
器件的高频小信号模型除考虑跨导体效应以及沟道调制效应等参数还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响;
当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时可用小信号模型简化计算

第三章 单元测试

1、
下列关于放大的说法，正确的是（）

A:

放大在反馈系统中起着重要作用。

B:

在大多数模拟电路和许多数字电路中，放大是一个基本功能。

C:

放大不能为数字电路提供逻辑电平。

D:

我们放大一个模拟或数字信号是因为这个信号太小而不能驱动负载，或者不能克服后继的噪声

答案: 放大在反馈系统中起着重要作用;
在大多数模拟电路和许多数字电路中放大是一个基本功能;
我们放大一个模拟或数字信号是因为这个信号太小而不能驱动负载或者不能克服后继的噪声

2、
下列关于小信号的说法，正确的是（）

A:

一般小信号是交流信号

B:

小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记

C:

假定某MOS器件的栅源过驱动电压VGS – VTH = 0.5V，则|vgs(t)|可视为小信号的变化范围为0.5V

D:

若小信号变化幅度过大，则会影响直流偏置点，需用大信号分析

答案: 一般小信号是交流信号;
小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记;
若小信号变化幅度过大则会影响直流偏置点需用大信号分析

3、
以电阻为负载的共源极电路的小信号增益的表达式有（）

A:

B:

C:

D:

答案: ;
;
;

4、
对于以电阻为负载、以一个NMOS器件为主放大管的共源极电路，增大其小信号增益的措施有（）

A:

减小NMOS器件的漏极电流

B:

减小ＮＭOS器件的宽长比W/L

C:

增大电阻上的电压

D:

增大NMOS器件的宽长比W/L

答案: 减小器件的漏极电流;
增大电阻上的电压;
增大器件的宽长比

5、
图中的被偏置在饱和区，则电路的小信号电压增益，说明使用电流源作负载可提高增益。

A:错
B:对
答案: 对

6、
关于二极管连接的MOS器件的说法正确的有（）

A:

所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接，起到小信号电阻的作用

B:

二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关，与偏置电流无关，即输入与输出呈线性

C:

将MOS管作二极管连接并导通时，不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区

D:

二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比，增益AV越大，最大输出电压Voutmax越小

答案: 二极管连接的管作负载的共源极电路的小信号增益只与有关与偏置电流无关即输入与输出呈线性;
将管作二极管连接并导通时不论是还是管均工作在饱和区;
二极管连接的管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比增益越大最大输出电压越小

7、
下列关于源极跟随器的说法正确的有（）

A:

源极跟随器的

B:

源极跟随器可用来构成电平位移电路

C:

源极跟随器一般只用来驱动小电容(或高阻)负载，不宜用来驱动低阻、大电容负载

D:

相对于共源级电路来说，源极跟随器增益很大，输出阻抗很高

答案: 源极跟随器的;
源极跟随器可用来构成电平位移电路;
源极跟随器一般只用来驱动小电容或高阻负载不宜用来驱动低阻大电容负载

8、
下列关于共栅放大器的说法正确的有（）

A:

常同共源级联合构成共源共栅放大器，用于高速运放的差分输入放大级

B:

输入阻抗与有关，有阻抗变换特性

C:

其增益与共源级放大电路增益相同

D:

输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源

答案: 常同共源级联合构成共源共栅放大器用于高速运放的差分输入放大级;
输入阻抗与有关有阻抗变换特性;
输出阻抗高可用于提高增益和构成高性能恒流源

9、
如图(a) (b) (c)三个电路，若电路中ID相等，输出阻抗最大的是（）

A:

三个电路的输出阻抗相同

B:

图(b)

C:图(c)
D:

图(a)

答案: 图(c)

10、
关于共源共栅电路下列说法正确的有（）

A:

共源共栅电流源可近似代替理想恒流源

B:

共源共栅结构具有高输出阻抗特性

C:

共源共栅结构具有屏蔽特性

D:

共源共栅结构具有高输出摆幅

答案: 共源共栅电流源可近似代替理想恒流源;
共源共栅结构具有高输出阻抗特性;
共源共栅结构具有屏蔽特性

第四章 单元测试

1、
下列关于差动放大电路的描述正确的是

A:

差动电路能有效抑制共模噪声

B:

差动电路增大了输出电压摆幅

C:

差动电路相对于单端电路，其芯片面积和功耗有所增加

D:

差动模式使电路的偏置电路更简单，输出线性度更高

答案: 差动电路能有效抑制共模噪声;
差动电路增大了输出电压摆幅;
差动电路相对于单端电路其芯片面积和功耗有所增加;
差动模式使电路的偏置电路更简单输出线性度更高

2、
对于差分放大电路，下列说法正确的是

A:

输入共模电平越小，输出摆幅越大，利于实现高增益

B:

输入共模电平越大, 允许输出的输出摆幅就越小。

C:

输入共模电平越大, 允许输出的输出摆幅就越大。

D:

输入共模电平越大，利于实现高增益

答案: 输入共模电平越小输出摆幅越大利于实现高增益;
输入共模电平越大允许输出的输出摆幅就越小

3、
理想差分只放大输入信号的差模部分，不放大共模部分

A:对
B:错
答案: 对

4、
差分放大电路如图，输出端的电压范围为（）

A:

B:

C:

D:

答案:

5、
如图电路，下列说法正确的是（）

A:

当时，，电路处于平衡状态

B:

当足够负时, 导通

C:

当足够负时, 截止

D:

当时，小信号增益(即斜率)最大，线性度最好

答案: 当时电路处于平衡状态;
当足够负时截止;
当时小信号增益即斜率最大线性度最好

6、

如图电路完全对称，考虑沟道长度调制效应后，其差模小信号增益为（）

A:

B:

C:

D:

答案:

7、
关于差分信号和差分放大电路的说法正确的是（）

A:

任意输入信号Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值

B:

差分放大电路对任意输入信号的响应包含差模响应和共模响应两部分

C:

如果输入信号和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信号。

D:

任意输入信号Vin1和Vin2的差模分量是正负

答案: 任意输入信号和的共模分量是二者的平均值;
差分放大电路对任意输入信号的响应包含差模响应和共模响应两部分;
如果输入信号和和不是大小相等方向相反那么和就是非全差分信号;
任意输入信号和的差模分量是正负

8、
实际差分放大电路由于工艺误差存在而非理想，因此必然会出现共模响应

A:对
B:错
答案: 对

9、
差分放大电路的电阻失配或者差分对管失配，都会引起共模分量到差模响应的转化，因而抑制共模噪声能力减弱。

A:对
B:错
答案: 对

10、
关于差分放大器的说法错误的是（）

A:

VGA是一种可变增益放大器

B:

差分放大电路只放大输入信号的差模部分，不放大共模部分

C:

共源共栅差分放大器的增益更大，但输出共模电平难以确定

D:

Gilbert单元是增益可变的放大器

答案:

差分放大电路只放大输入信号的差模部分，不放大共模部分

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